晶圆缺陷图案匹配技术

晶圆制造工艺由于制造过程的复杂性和动态性，半导体晶圆容易出现形貌缺陷、污染物等不规则、细微缺陷情况，快速检测出晶圆质量异常并确定导致其缺陷产生的故障原因，是提高产线生产效率的重要途径。为此，MCC实验室开展了面向复杂工业场景的无监督晶圆缺陷匹配技术工作，研发出一系列核心算法和晶圆缺陷匹配模型，解决了当前半导体制造过程中仍存在的阻碍异常晶圆快速匹配的三大核心难题：

①线状类、划痕类等相似缺陷的混淆识别；

②条状类、线状类等会随位置改变而产生差异的复杂缺陷类型的错误判断；

③当前产线中从未出现过的缺陷类型的错误匹配。

MCC实验室研制的缺陷图案匹配算法相较于现有最优方法匹配准确率提升了10%，平均缺陷匹配准确率提升至85%，同时满足了执行时间、存储空间等需求。目前无监督晶圆缺陷匹配技术已集成到杭州广立微电子股份有限公司公司平台/系统上，为晶圆良率提升提供重要技术支持。减少了半导体制造过程中的返工率和废品率，提高了生产效率并降低了生产成本。